APG180N01GD深圳恒锐丰科技.pdf

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APG180N01GD

N-ChannelEnhancementMosfet

Feature

⚫100V,25A

R（）18mΩ＠V=10VTYP:15mΩ

DSONGS

R（）24mΩ＠V=4.5VTYP:20mΩ

DSONGS

⚫AdvancedTrenchTechnology

⚫LeadfreeproductisacquiredSchematicDiagram

⚫ExcellentR（）andLowGateCharge

DSON

ApplicationXXXXX

⚫PWMapplicationsG180N01GD

⚫LoadSwitch

⚫Powermanagement

Markingandpinassignment

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)

G180N01GDAPG180N01GDPDFN5X6-8L13inch-5000

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS100V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

ContinuousDrainCurrent(Ta=25℃)ID25A

ContinuousDrainCurrent(Ta=100℃)ID17A

PulsedDrainCurrenr(1)IDM75A

SingelPulsedAvalancheEnergy(2)EAS28

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