AGM012N10LL VER2.7深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM012N10LL

●GeneralDescription

TheAGM012N10LLcombinesadvancedtrenchProuctummary

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionapplications.

100V1.03mΩ385A

●Features

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

TOLL-8LPinConfiguration

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeReelTapeithQuantity

DevnviceSziewd

iceMarkigDevicePackage

AGM012N10LLAGM012N10LLTOLL-8L330mm25mm2000

ol25)

.Absuteax(TA

Table1MimumRatings℃

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）100V

VGSGate-SourceVolage(VDSt0V)±20V

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