AGM18N10D VER2.7深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM18N10D

●GeneralDescription

TheAGM18N10DcombinesadvancedtrenchProductSuma

mry

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery

VRDSONID

protectionapplications.BDSS

●Features

100V16mΩ40A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductivelossTO-252PinConfiguration

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■%

100Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

gearkingandOrderingInformtoni

PkaM

DeviceMarinQantity

kgDeviceDevicea

PckageReelSizeTapewidth

AGM18N10DAGM18N10DTO-252330mm16mm2500

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA25℃)

uUnti

aVale

Sym

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