AP2303AI深圳恒锐丰科技+-3.3A+-17V+SOT23L57.pdf

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AP2303AI

-17VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP2303AIusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=-17VI-3.3A

DSD

RDS(ON)100mΩ@VGS-4.5V(Type：85mΩ)

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP2303AISOT23LA3SHB3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-17V

VGSGate-SourceVoltage±12V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V1-3.3A

I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V1-2.1A

IDMPulsedDrainCurrent2-10A

P@T=25℃TotalPowerDissipation31.0W

专注MOS

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