AP10N03SI深圳恒锐丰科技+10A+30V+SOT89-3L12.pdf

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AP10N03SI

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP10N03SIusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=30VI10A

DSD

RDS(ON)20mΩ@VGS=10V（Type：17mΩ）

Application

Lithiumbatteryprotection

Wirelessimpact

Mobilephonefastcharging

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP10N03SISOT89-3LAP10N03SIXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage30V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent10A

I@T=70℃ContinuousDrainCurrent6.9A

IDMPulsedDrainCurrent30A

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