AP100N03Y深圳恒锐丰科技+100A+30V+TO-251-3L8.pdf

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AP100N03Y

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP100N03Yusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=30VI100A

DSD

RDS(ON)6.5mΩ@VGS=10V（Type：4.5mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP100N03YTO-251L-3LAP100N03YXXXXYYYY4000

AP100N03YTO-251S-3LAP100N03YXXXXYYYY4000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage30V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V100A

I@T75℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V55

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