AP30N02BF深圳恒锐丰科技+30A+20V+QFN2X2-6L78.pdf

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AP30N02BF

20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP30N02BFusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=20VI30A

DSD

RDS(ON)8.5mΩ@VGS=4.5V（Type：7.8mΩ）

Application

solarroadlights

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP30N02BFQFN2*2-6LAP30N02BFXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage20V

VGSGate-SourceVoltage±12V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V30A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V19A

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