AGM20T09H VER2.6深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM20T09H

●GeneralDescriptionProductSummary

TheAGM20T09Hcombinesadvancedtrench

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

BVDSSRDSONID

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery

protectionapplications.200V9.3mΩ110A

●Features

TO-263PinConfiguration

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PaageMarkinganOrderingInformaton

cki

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGM20T09HAGM20T09HTO-263330mm25mm800

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TC25℃)

SymbolParaterValuUni

meet

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）200V

VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±20V

DrainCurrent-Continuous(Tc25℃)(Note1)

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