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AGM012N10AT
●GeneralDescription
Prdu
octSma
TheAGM012N10ATcombinesadvancedtrenchumry
MOSFETtechnologywithalowresistancepackage
toprovideextremelylowRDS(ON).
ThisdeviceisidealswitchandbatteryBVRDONID
forloadDSSS
protectionapplications.
.55
100V1mΩ3A
●Features85
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology
TO-247PinConfiguration
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■100%Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■ElectronicBallast
■ElectronicTransformer
■SwitchModePowerSupply
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
AGM012N10ATAGM012N10ATTO-247600
Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)
℃
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)100V
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