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AP70N20CFIPIT
200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP70N20CF/P/TissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=200VI70A
DSD
RDS(ON)48mΩ@VGS=10V(Type:38mΩ)
Application
UninterruptiblePowerSupply(UPS)
PowerFactorCorrection(PFC)
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP70N20CFTO-220F-3LAP70N20CFXXXYYYY1000
AP70N20CPTO-220-3LAP70N20CPXXXYYYY1000
AP70N20CTTO-263-3LAP70N20CTXXXYYYY800
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterValueUnit
VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)200V
IDContinuousDrainCurrent70A
IDMPulsedDrainCurrent(note1)240A
VGSGate-SourceVoltage±20V
EAS
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