AP12N02S深圳恒锐丰科技+12A+20V+SOP-8L21.pdf

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AP12N02S

20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP12N02Susesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=20VI12A

DSD

RDS(ON)12mΩ@VGS=4.5V(Type：8.5mΩ)

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP12N02SSOP-8LAP12N02SXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterMax.Units

VDSSDrain-SourceVoltage20V

VGSSGate-SourceVoltage±12V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,V@10V112A

DCGS

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,V@10V19A

DCGS

IDMPulsedDrainCu

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