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品管部区熔岗位测试题（共100分）
姓名：时间得分
一、选择题：（每题1分，共14分）
1、晶体通常有___A___的几何形状。
A、规则B、不规则
2、晶体有A的熔点。
A、固定B、不固定
3、半导体生长中，按其掺入的杂质分为B类。
A、一类B、二类C、三类
4、一般在P型单晶的生产中，通常以掺C为主。
A、磷B、锑C、硼D、铝
5、在太阳能单晶的生产中，主要以拉制A为主；
其电阻率一般以CD为主；
A、P型B、N型C、0.5～3ΩcmD、3～6Ωcm1、
6、当硅中掺有硼杂质时拉出的单晶为A。
A.P型B.N型
7、电阻率是半导体生产中常用的一个参数，用字母B表示。
A.RB.ρ
8、在一块半导体中常常同时含有施主和受主杂质，当施主数量超过
受主时，半导体呈现出B型号。
A.P型B.N型
9、在一块半导体中，如果因施主和受主的数量相等而产生复合，这
种现象称为A。
A.高度补偿B.互相抵消
10、当硅中掺有受主杂质时拉出的单晶其型号为B。
A、N型B、P型
11、在有补偿的情况下，决定导电能力的是施主和受主的B。
A、型号之差B、浓度之差
12、一般在掺硼的单晶生产中，拉出单晶的型号为A。
A、P型B、N型
13、在太阳能单晶的生产中，主要以拉制C为主；
其电阻率一般以BD为主；
A、N型B、0.5～3ΩcmC、P型D、3～6
Ωcm
14、在半导体中导电是靠电子和空穴的移动来完成的，因此电子和空
穴被称为载流子；那么在P型半导体中，空穴是B载流子。
A、少数B、多数
二、填空题：（一空一分，共40分）
1，硅原子SI,原子系数14，最外层电子4.
2，半导体硅是微电子工业重要基础材料，目前世界有直拉（cz）和
区熔（fz）两种方法制备硅单晶，其中85%以上是用直拉（cz）工
艺制做的。
3，根据物质的导电性质，可以将它们（物质）分为导体、半导体,
和绝缘体，二氧化硅是绝缘体。
4，单晶生长的晶向是由仔晶决定的，写出你知道的硅晶体生长的
三个不同的晶向111、100、110或511。
5，硅约占地壳总重量的27.72%，其丰度(可以理解为含量)仅次于
氧，排在第2位；硅有晶态和无定形两种，晶态硅具有金刚石结构熔
点为1420℃。
6，半导体材料，靠导带中的电子或空穴导电,导带中靠电子导电的
半导体称为N型半导体,导带中靠空穴导电的半导体称为P型半导
体。
7，拉晶过程中向炉内通入气体的是Ar,维持炉室的压力为
20-50Torr,常用露点来表示
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