AP100N03BD深圳恒锐丰科技+100A+30V+TO-252-3L3.pdf

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AP100N03BD

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP100N03BDusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=30VI100A

DSD

RDS(ON)4.5mΩ@VGS=10V（Type：3.5mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP100N03BDTO-252-3LAP100N03BDXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage30V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1100A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V155A

IDMPulsedDrainCurrent2380A

EASSinglePulseAvalancheEnergy3110mJ

IASAvalancheCurrent45

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