AP90N02BD深圳恒锐丰科技+90A+20V+TO-252-3L157.pdf

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AP90N02BD

20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP90N02BDusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V20VI90A

DSD

RDS(ON)4.0mΩ@VGS=10V（Type：3.1mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP90N02BDTO-252-3LAP90N02BDXXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage20V

VGSGate-SourceVoltage±12V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V90A

I@T75℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10VA

DC40

专注MOS

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