AGM012N10LLM1 VER2.6深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM012N10LLM1

●GeneralDescription

TheAGM012N10LLM1combinesadvancedtrenchProuctummary

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionapplications.

100V1.1mΩ380A

●eatures

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnologyTOLLPinConfiguration

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeReTapeidthQuantity

vieelSizew

Deviec

cMarkingDevicePackage

AGM012N10LLAGM012N10LLM1TOLL330mm25mm2000

Ris(TA25)

Tae1olutaxmumatng

bl.AbseMi℃

araVueUnit

bPmeter

Symol

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）

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