AGM18N10S VER2.7深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM18N10S

●GeneralDescription

mmy

ProductSuar

TheAGM18N10Scombinesadvancedtrench

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionapplications.

●Features100V17mΩ12A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

SOP8PinConfigurti

aon

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■%

100Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

arngdO

PackageManrderingInformation

DevceDDevRQuantity

iMeT

veicP

arkigeciackageelSizapwi

neeedth

AGM18N10SAG8N10SSOP8330mm12mm3000

Table1.AbsoluteMaximumRatig

ns(TA25℃)

SymbolP

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