AP2305MI-L深圳恒锐丰科技+-6.2A+-20V+SOT23-3L64.pdf

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AP2305MI-L

-20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP2305MI-Lusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=-20VI-6.2A

DSD

RDS(ON)36mΩ@VGS-4.5V(Type：31mΩ)

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP2305BISOT23LA5SHB.3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-20V

VGSGate-SourceVoltage±12V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V1-6.2A

I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V1-5.1A

IDMPulsedDrainCurrent2-36A

P@T=25℃TotalPowerDissipation34.31W

专注MOS

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