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摘要
随着第三代半导体材料生长工艺的不断成熟，其应用领域也随之扩展，与此
同时，空间技术的不断发展也对应用于其中的半导体材料和器件提出了更高的可
靠性要求。GaN作为第三代半导体材料的代表，由于具有优良的抗辐照特性，
其材料及器件已成为目前抗辐照效应研究的热点。而对于GaN基HEMT器件来
说，其工艺水平相对有限，并且其结构和载流子产生及输运机理等方面与常规半
导体器件存在较大差异，使得器件损伤机理较为复杂，因此为了使GaN基HEMT
器件能够发挥出其性能优势，则需要进一步对其辐照损伤效应进
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