晶闸管保护器件.docx

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晶闸管保护器件

1范围

本文件规定了晶闸管保护器件（以下简称“器件”）的术语和定义、器件规格、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。

本文件适用于晶闸管保护器件的设计与检验。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2828.1计数抽样检验程序第一部分：按接受质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T191包装储运图示标志

GB/T17626.2电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验GB/T7581半导体分立器件外形尺寸

GB/T4589.1半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范

GB/T4937.1半导体器件机械和气候试验方法第1部分:总则

MIL-STD-750-1ENVIRONMENTALTESTMETHODSFORSEMICONDUCTORDEVICESJESD22-A104CTemperatureCycling

JESD22-A101DSteady-StateTemperature-HumidityBiasLifeTest

JESD22-A102DAcceleratedMoistureResistance-UnbiasedAutoclave

JESD22-A11AEvaluationProcedureforDeterminingCapabilitytoBottomSideBoardAttachbyFullBodySolderImmersionofSmallSurfaceMountSolidStateDevices

J-STD-002CSolderabilityTestsforComponentLeads,Terminations,Lugs,TerminalsandWires

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1

钳位电压Clampvoltage

指一种限制电压的技术或措施，主要用于需要过压保护的对象。3.2

结电容Junctioncapacitance

指在半导体器件中两个相邻的doped区域之间形成的电容。

4器件规格

4

4.1封装形式

应采用DFN2510-10L封装形式，具体应如图1所示。

图1器件封装形式

4.2器件职能

应能保护4条数据或电源线。

4.3工作电压

器件工作电压应为3.0V。

4.4工作方式

器件工作方式应采用单向配置。

4.5钳位电压

器件应为低钳位电压。

4.6线路原理与引脚配置

应如图2所示。

图2线路原理与引脚配置

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4.7绝对最大额定值

应符合表1中的要求。

表1绝对最大额定值

序号

参数名称

符号

数值

单位

1

峰值脉冲电流

IPP

6

A

2

静电放电抗干扰度

VESD

±25±25

?

3

引线焊接温度

TSOL

260(10S)

℃

4

工作温度范围

TJ

-55～+125

℃

5

储存温度范围

TSTG

-55～+150

℃

注：除特殊说明外，默认环境温度为25℃,相对湿度为45％～75％。

4.8电子特性

应符合表2中的要求。

表2器件电子特性

序号

符号

参数

条件

最小值

典型值

最大值

单位

1

VRWM

反向工作电压

输入/输出端至接地端

3.0

V

2

VBR

反向击穿电压

IT=1?,

输入/输出端至接地端

4.0

4.5

6.0

V

3

IR

反向漏电电流

VRWM=3.0V，

输入/输出端至接地端

—

—

1.0

?

4

VF

二极管正向电流

IF=15?

0.9

1.2

V

5

VH

保持电压

输入/输出端至接地端

—

1.9

—

V

6

表2器件电子特性（续）

序号

符号

参数

条件

最小值

典型值

最大值

单位

6

IH

保持电流

输入/输出端至接地端

—

20

—

?

7

RDYH

动态阻力

输入/输出端至接地端

—

0.3

—

Ω

接地端至输入/输出端

0.4

Ω

8

VC

钳位电压TLP

IPP=8A

—

4.75

—

V

IPP=-8A

—

-5.5

—

V

IPP=16A

—

7.0

—

V

IPP=-16A

—

-8.5

—

V

9

CJ

结电容

VR=0V，f=1?,

输入/输出端与接地端之间

—

0.45

—

?

VR=0V，f=2.5?,

输入/输出端与接地端之间

—