AGM612S VER2.65深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM612S

●GeneralDescription

ProductSummary

TheAGM612Scombinesadvancedtrench

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionapplications.

●Features60V11mΩ11A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

SOP8PinConfiguration

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■%

100Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

ckageMdo

PaarkinganOrdingInfrm

eratoni

DeviceMarkngiDeviceDevicePackgeReelSizeTapewiQuantity

adth

AGM612SAGM612SSOP8330mm12mm3000

Table1.Absng

oluteMaximumRatis(TA25℃)

SymbolParameeValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）60V

VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±20

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