AP4407B深圳恒锐丰科技++++-11A+-30V+SOP-8.pdf

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AP4407B

30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP4407Busesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasa

BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=-30VI-11.3A

DSD

RDS(ON)16mΩ@VGS-10V

Application

Lithiumbatteryprotection

Wirelessimpact

Mobilephonefastcharging

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP4407BSOP-8LAP4407BXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-30V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,V@-10V1-11.3A

DAGS

I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,V@-10V1-8.6A

DAGS

IDMPulsedDrainCurrent2-50A

EASSinglePulseAvalancheEnerg

专注MOS

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