AP30N06BD深圳恒锐丰科技+30A+60V+TO252-3L.pdf

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AP30N06BD

60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP30N06BDusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=60VI30A

DSD

RDS(ON)36mΩ@VGS=10V（Type：28mΩ）

Application

LEDlamp

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP30N06BDTO-252-3LAP30N06BDXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings@T=25C(unlessotherwisespecified)

SymbolParameterMax.Units

VDSSDrain-SourceVoltage60V

VGSSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V130A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V117A

IDMPulsedDrainCurrent74A

IASAvalancheCurrent13A

专注MOS

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