AP60H06DF2深圳恒锐丰科技++60A+60V+DFN3X3B-8L.pdf

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AP60H06DF2

65VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP60H06DF2usesadvancedAPM-SGTIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=60VI60A

DSD

RDS(ON)15mΩ@VGS=10V(Type:12mΩ)

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP60H06DF2DFN3*3B-8LAP60H06DF2XXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

C

SymbolParameterValueUnit

VDSDrainsourcevoltage65V

VGSGatesourcevoltage±20V

I@T=25℃Continuousdraincurrent60A

DA

I@T=70℃Continuousdraincurrent24A

DA

IDMPulseddraincurrent180A

P@T=25℃Powerdissipation31W

DA

EASSinglepulsedavalancheenergy

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