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AP60H06DF2
65VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP60H06DF2usesadvancedAPM-SGTIItechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=60VI60A
DSD
RDS(ON)15mΩ@VGS=10V(Type：12mΩ)
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP60H06DF2DFN3*3B-8LAP60H06DF2XXXYYYY5000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterValueUnit
VDSDrainsourcevoltage65V
VGSGatesourcevoltage±20V
I@T=25℃Continuousdraincurrent60A
DA
I@T=70℃Continuousdraincurrent24A
DA
IDMPulseddraincurrent180A
P@T=25℃Powerdissipation31W
DA
EASSinglepulsedavalancheenergy
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