AP30N06NF深圳恒锐丰科技+30A+60V+PDFN5X6-8L.pdf

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AP30N06NF

60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP30N06NFusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=60VI30A

DSD

RDS(ON)36mΩ@VGS=10V(Type:28mΩ)

Application

LEDlamp

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP30N06NFPDFN5X6-8LAP30N06NFXXXYYYY5000

o

AbsoluteMaximumRatings@T=25C(unlessotherwisespecified)

j

SymbolParameterRatingUnits

VDSSDrain-SourceVoltage60V

VGSSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,V@10V130A

DCGS

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,V@10V117A

DCGS

IDMPulsedDrainCurrent

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