AP90N15D深圳恒锐丰科技+90A+150V+TO-252-3L.pdf

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AP90N15D

150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP90N15DusesadvancedAPM-SGTIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=150VI90A

DSD

RDS(ON)18mΩ@VGS=10V（Type：16mΩ）

Application

Automativelighting

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP90N15DTO-252-3LAP90N15DXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage150V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃DrainCurrent,VGS@10V90A

I@T=100℃DrainCurrent,VGS@10V56A

PulsedDrainCurrent1240A

IDM

EASSinglepulsedavalancheenergy280mJ

P@T=25℃TotalPowerDissipation

专注MOS

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