APE190N15PT深圳恒锐丰科技+190A+150V+TO-220-3L+TO-263-3L.pdf

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APE190N15PIT

150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAPE190N15P/TusesadvancedAPM-SGTⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=150VI190A

DSD

AECQ101

RDS(ON)7.5mΩ@VGS=10V(Type：6.6mΩ)

Application

DC/DCConverter

LEDBacklighting

QualityAssurance

AEC-Q101

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

APE190N15PTO-220-3LAPE190N15PXXXYYYY1000

APE190N15TTO-263-3LAPE190N15TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage150V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V190A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V140A

IDMPulsedDrainCurrent550A

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