HFD20N06深圳恒锐丰科技+N+60V+MOS+TO-252.pdf

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HFD20N06

N-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFD20N06isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFD20N06meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith

fullfunctionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

ProductSummary

BVDSSRDSONID

60V28mΩ20A

TO-252PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFD20N06

N-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units

OffCharacteristic

VDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250μA60--V

(BR)DSSGSD

IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS60V,VGS0V,--1.0μA

IGSSGatetoBodyLeakageCurrentVDS0V,VGS±20V--±100nA

OnCharacteristics

VGateThresholdVoltageVV,I250μA1.01.62.5

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