模拟电子技术基础：第一章 常用半导体器件.ppt

*例1.3.1测得电路中各晶体管各极的电位，判断各管的工作状态T1发射结正偏集电结反偏放大T2发射结正偏集电结正偏饱和T3发射结正偏集电结反偏放大T4发射结零偏集电结反偏截止解：判据：发射结正偏，且UBEUon，集电结反偏；放大发射结正偏，集电结正偏；饱和发射结反偏，或UBEUon，集电结反偏；截止*例：在一个单管放大电路中，电源电压为30V，已知三只管子的参数如表所示，请选用一只管子。解：选用管子的依据：兼顾ICBO小，β大，安全T1β值小，T3UCEO小，T2β值较大，ICBO较小,UCEO大于电源电压。故应选T2*关于PNP型管子及其电路要满足发射结正偏，集电结反偏的条件，VBB、VCC的极性应如图所示电流实际方向如图所示电位高低如图所示ecbe(N)c(N)b(P)++-uO△uI-VBBRbRcVCCiCiBiE高中低*例：测得放大电路中晶体管的直流电位如图所示，画出管子，并说明它们是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型11.3V12V0解：先找出基极（基极电位处于中间），再找出发射极（与基极电位相差0.7V或0.2V）,剩下的即集电极NPN型管集电极电位最高，基极次之，发射极最低；PNP型管发射极电位最高，基极次之，集电极最低。硅管发射结电压为0.7V；锗管发射结电压为0.2V；3.7V12V3Vbecbce*例：判断图中晶体管是否有可能工作在放大状态观察发射结偏置状态，集电结偏置状态发射结电压Uon，集电结反偏，则有可能工作在放大状态发射结正且Uon，集电结反偏发射结反偏，集电结零偏有可能无可能RbRc1.5V-6VReRc-6V*放大、开关。电流控制器件，有电流放大作用。三极管的主要特点三极管的应用*习题（写在作业本上）P70:1.9,1.10,1.11思考题：P39自测题：P67*1.4场效应管(FieldEffectTransistor)----FET分类：结型（N沟道、P沟道） 绝缘栅型增强型（N沟道、P沟道） 耗尽型（N沟道、P沟道）场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。其作用有放大、开关、可变电阻。*场效应管是一种不同于双极型晶体管（BJT）的一种半导体器件。双极型晶体管（BJT）有两种载流子（多子、少子）场效应管（FET）有一种载流子（多子）工作机理不同双极型晶体管（BJT）电流控制方式场效应管（FET）电压控制方式控制方式不同*1.4.1结型场效应管（JFET）JFET分类及符号gdsN沟道gdsP沟道*耗尽层NPsgd结构示意图上面的P型区和下面的P型衬底连在一起，引出电极称为栅极G；两边的N型区各引出一个电极称为源极S和漏极D；中间的N型区称为导电沟道（内有很多电子，在外加电压作用下移动形成电流）；两个PN结实际结构图N+s源极g栅极d漏极PPN+N沟道衬底JFET结构*一、结型场效应管的工作原理1.uDS=0，uGS对导电沟道的控制作用uGS=0，PN结零偏，导电沟道很宽；UGS(off)：夹断电压（注意是一个负值）UGS≦UGS(off)0时，沟道仿佛被夹断；uGS0，PN结反偏，导电沟道变窄；NsgdsgdVGGuGSPPsgdVGGUGS(off)结论：uGS变化，会引起导电沟道宽度的变化由于PN结反偏，故栅极电流为0。*uDS0，沟道两端有电压差，产生iD；由于栅极与沟道中各点电压不同，uGDuGS0，沟道呈楔形，漏极窄，源极宽。sgdVGG(uGS)VDDiD当uGS为UGS(off)～0中某一固定值时，(UGS(off)uGS0)uDS对漏极电流iD的影响(UDS0)uDS=0，沟道两端无电压，iD=0；iD=0sgdVGGuGSPP*uDS增加，iD随之线性增加，ds间呈现电阻性；电阻的大小，决定于沟道宽度，即决定于uGS。uDSiDO可变电阻rD2=1/k2rD1=1/k1uGS2uGS1sgdVGG(uGS)VDDiD*预夹断之后