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永源微电子科技有限公司
AP20G02BDF
20A20VN+P低功耗高频场效应管晶体管
简介：
AP20G02BDF是一颗针对无线充N+P全桥高频电路高性价比产品，使用的是第三代沟槽技
术，优化NPCiss电容数据和RDS，在获取性价比同时，兼容了性能的提升。
适配主控型号：
IP6822（英集芯）
AP20G02BDF
20VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP20G02BDFusesadvancedTrenchIIItechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=20VI20A
DSD
RDS(ON)18mΩ@VGS=10V（Type：12mΩ）
V=-20VI-18.8A
DSD
RDS(ON)30mΩ@VGS-10V（Type：25mΩ）
Application
HighFrequencyCircuit
low-powerconsumption
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP20G02BDFPDFN3*3-8LAP20G02BDFXXXYYYY3000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterN-ChP-ChUnits
VDSDrain-SourceVoltage20-20V
VGSGate-SourceVoltage±12±12V
1
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V20-18.8A
DA
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