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AP190N15FIPIT
150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP190N15F/P/TusesadvancedAPM-SGTⅠtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas10V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=150VI190A
DSD
RDS(ON)7.5mΩ@VGS=10V(Type:6.6mΩ)
Application
DC/DCConverter
LEDBacklighting
PowerManagementSwitches
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP190N15FTO-220F-3LAP190N15FXXXYYYY1000
AP190N15PTO-220-3LAP190N15PXXXYYYY1000
AP190N15TTO-263-3LAP190N15TXXXYYYY800
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage150V
VGSGate-SourceVoltage±20V
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V190A
DC
I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V140A
DC
IDMPulsedDrainCurrent
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