AP30N15PT深圳恒锐丰科技+28A+150V+TO-220-3L+TO-263-3L.pdf

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AP30N15PIT

150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP30N15P/TusesadvancedAPM-SGTIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=150VI30A

DSD

RDS(ON)78mΩ@VGS=10V（Type：63mΩ）

Application

Automativelighting

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP30N15PTO-220-3LAP30N15PXXXYYYY1000

AP30N15TTO-263-3LAP30N15TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage150V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃DrainCurrent,VGS@10V30A

I@T=100℃DrainCurrent,VGS@10V21A

PulsedDrainCurrent190A

IDM

P@T=25℃TotalPowerDissipation

专注MOS

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