AP400N08TLG1深圳恒锐丰科技+400A+85V+TOLLA-8L.pdf

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AP400N08TLG1

85VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP400N08TLG1usesadvancedAPM-SGTⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=85VI400A

DSD

RDS(ON)1.3mΩ@VGS=10V(Type：1.0mΩ)

Application

DC/DCConverter

LEDBacklighting

PowerManagementSwitches

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP400N08TLG1TOLLLAP400N08TLG1XXXYYYY2000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage85V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V400A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V220A

IDMPulsedDrainCurrent960A

EASSinglePulseAvalancheEnergy2025mJ

IASAvalancheCurrent

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