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《模拟电子技术》
一、单选题
PN结的基本特性是(B)o
A、 多子扩散
B、 单向导电
C、 少子漂移
D、 载流子复合
可以工作在击穿区的器件是(D)o
A、 三极管
B、 集成运放
C、 场效应管
D、 稳压管
测得放大电路中的BJT各电极对地电压为:Vb=2.7V,
Ve=2V,Vc=6V,则该BJT为(A)o
A、 NPN硅管
B、 NPN错管
C、 PNP错管
D、 PNP硅管
三极管共射级放大电路中,若静态工作点设置过低,在输入信号增大时放大器会首先产生(C)O
A、 交越失真
B、 饱和失真
C、 截止失真
D、 频率失真
某场效应管的转移特性如图所示,该管为(D)。
A、 P沟道增强型MOS管
B、 P沟道结型场效应管
C、 N沟道增强型MOS管 丿
D、 N沟道耗尽型MOS管 叫新
为使放大器输入电阻提高、负载变化时输出电流稳定,应加入(B)负反馈。
A、 电压串联
B、 电流串联
C、 电压并联
D、 电流并联
在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为50W,则电路中功放管的集电极最大功耗约为(C)O
TOC\o1-5\h\zA、 25W
B、 50W
C、 10W
D、 100W
为了有效地放大hf频段的信号3Q而抑制其它频率的信号,应釆用的滤波电路是(D)。
A、 低通滤波电路
B、 高通滤波电路
C、 带阻滤波电路
D、 带通滤波电路
为了减小温漂,通用型集成运放的输入级多釆用(A)0
A、 差动放大电路
B、 共射极电路
C、 共集极电路
D、 共基极电路
直流稳压电源中滤波电路的目的是(C)。
A、 将交流变为直流
B、 将高频变为低频
C、 将交、直流混合量中的交流成分滤掉
D、 将正弦波变为方波
一、单选题
在(B)中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。
A、 N型半导体
B、 P型半导体
C、 杂质半导体
D、 本征半导体
用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(A)o
A、 (B、C、E)
B、 (C、B、E)
C、 (E、C、B)
D、(E、B、C)
三极管共射级放大电路中,若静态工作点设置过高,在输入信号增大时放大器会首先产生(B)o
A、 交越失真
B、 饱和失真
C、 截止失真
D、 频率失真
集成电路中常采用的级间耦合方式是(A)o
A、 直接耦合
B、 阻容耦合
C、 变压器耦合
D、 光电耦合
5.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是
(D)o
A、 半导体管的非线性特性
B、 放大电路的静态工作点不合适
C、 耦合电容和旁路电容的存在
D、 半导体管极间电容和分布电容的存在。
6.在输入量不变的情况下,若引入反馈后(C),则说明引入的反馈是负反馈。
A、 输入电阻增大
B、 输出量增大
C、 净输入量减小
D、净输入量增大
场效应管用于放大时,应工作在输出特性曲线的(B)区。
A、 可变电阻
B、 饱和
C、 击穿
D、 截止
.差动放大电路的主要特点是(A)。
A、 放大差模信号,抑制共模信号
B、 同时放大差模和共模信号
C、 放大共模信号,抑制差模信号
D、 同时抑制差模和共模信号
.要制作频率非常稳定的测试用信号源,应选用(C)。
A、 RC正弦波振荡电路
B、 LC正弦波振荡电路
C、 石英晶体正弦波振荡电路
D、 迟滞比较器
10.直流稳压电源中整流的目的是(D)。
A、 将正弦波变为方波
B、 将方波变为正弦波
C、 将高频变为低频
D、 将交流变为直流
一、单选题
l()k£21.如图所示电路,设二极管是理想的,则输出电压V。为(C)o
l()k£2
A、 8V
B、 2V
C、-3V
D、5V
双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是(B)。
A、发射结正偏,集电结正偏
B、发射结正偏,集电结反偏
C、 发射结反偏,集电结反偏
D、 发射结反偏,集电结正偏
3.测得放大电路中的BJT各电极对地电压为:Vb=11.3V,Ve
=12V,Vc=5V,则该BJT为(D)。
A、 NPN硅管
B、 NPN错管
C、 PNP错管
D、 PNP硅管4.乙类双电源互补对称功率放大电路中,出现交越失真的原因是(D)。
A、 两个BJT不对称
B、 输入信号过大
C、 输出信号过大
D、两个BJT的发射结偏置为零
6.某场效应管的输出特性如图所示,
该管为(D)o
A、P沟道增强型MOS管
I 4V
B、
P
沟道耗尽型MOS管
/
, g=ov
C、
N
沟道增强型MOS管
D、
N
沟道耗尽型MOS管
r
差分放大电路两输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(B)信号。
A、 差模信号
B、 共
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