AP8G02BLI深圳恒锐丰科技++8A+20V+N+P+SOT23-6L(2).pdf

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永源微电子科技有限公司

AP8G02BLI

8A20VN+P高频无线充场效应管晶体管

简介:

AP8G02BLI是一颗针对无线充N+P全桥高频电路高性价比产品,使用的是第三代沟槽技术,优化NPCiss

电容数据和RDS,具备超高的性价比。

适配主控型号:

国内所有市场主流MCU无线充方案系列。

市场应用:

磁吸无线充,移动电源15W无线充

AP8G02BLI

20VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP8G02BLIusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=20VI=8.5A

DSD

RDS(ON)28mΩ@VGS4.5V(Type:24mΩ)

V=-20VI-7.6A

DSD

RDS(ON)35mΩ@VGS-4.5V(Type:29mΩ)

Application

BLDC

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP8G02BLISOT23-6LAP8G02BLI3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

C

SymbolParameterN-ChP-ChUnits

VDSDrain-SourceVoltage20-20V

VGSGate-SourceVoltage±12±12V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V18.5-7.6A

DA

I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V16.2-5.3A

DA

IDMPu

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