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AP2N7002DW
60VN+N-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP2N7002DWusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas10V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=60VI=0.3A
DSD
RDS(ON)2100mΩ@VGS=10V（Type：1600mΩ）
ESD=2KVHBM
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP2N7002DWSOT363-6LK723000
o
AbsoluteMaximumRatings@T=25C(unlessotherwisespecified)
j
SymbolParameterMax.Units
VDSSDrain-SourceVoltage60V
VGSSGate-SourceVoltage±20V
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V10.3A
DC
I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V10.15A
DC
IDMPulsedDrainCurrent1A
P@T=25℃PowerDissipation0.38W
D
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