AP70P06NF深圳恒锐丰科技+-70A+-60V++PDFN5x6-8L.pdf

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AP70P06NF

-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP70P06NFusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas6V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=-60VI=-70A

DSD

RDS(ON)14mΩ@VGS=-10V(Type：11mΩ)

Application

Lithiumbatteryprotection

Wirelessimpact

Mobilephonefastcharging

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP70P06NFPDFN5X6-8LAP70P06NFXXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V-70A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V-42A

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