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AP100N08D
80VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP100N08Dusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=80VI100A
DSD
RDS(ON)6.8mΩVGS10V(Type:5.5mΩ)
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP100N08DTO-252-3LAP100N08DXXXYYYY2500
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage80V
VGSGate-SourceVoltage±20V
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1,6100A
DC
I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1,660A
DC
2
IDMPulsedDrainCurrent400A
3
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