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AP100N08CMP
80VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP100N08CMPissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFET,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=80VI=100A
DSD
RDS(ON)15mΩ@VGS=10V(Type:13mΩ)
Application
UninterruptiblePowerSupply(UPS)
PowerFactorCorrection(PFC)
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP100N08CMPTO-247-3LAP100N08CMPXXXYYYY1980
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage80V
VGSGate-SourceVoltage±20V
ID@TC=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V100A
ID@TC=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V70A
IDMPulsedDrainCurrent480A
EASSinglePulseAvalancheEnergy1054mJ
IASAvalancheCurrent
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