AGM312MAP VER2.66深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM312MAP

●GeneralDescription

TheAGM312MAPcombinesadvancedtrench

MOSFETtechnologywithalowresistancepackageProductSummary

toprovideextremelylowRDS(ON).

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery

BVDSSRDSONID

protectionapplications.

●Features30V14mΩ18A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

-30V34mΩ-18A

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitchingPDFN3.3*3.3PinConfiguration

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

nd

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGM312MAPAGM312MAPPDFN3.3*3.3330mm12mm5000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

Rating

SymbolParameterN-ChP-ChUnits

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V)30-30V

VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±20±20V

DrainCurrent-Continuous(TC25℃)(Note1)18-

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