AP300N06TLG2深圳恒锐丰科技+300A+60V+TOLLA-8L.pdf

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AP300N06TLG2

60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP300N06TLG2usesadvancedAPM-SGTIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=60VI300A

DSD

RDS(ON)1.6mΩ@VGS=10V（Type：1.2mΩ）

Application

Batteryprotection

UPS

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP300N06TLG2TOLLA-8LAP300N06TLG2XXXYYYY2000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent1,6300A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent1,6238A

IDMPulsedDrainCurrent1340A

EASSinglePulseA

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