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AP20G02CDF
20VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP20G02CDFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=20VI20A
DSD
RDS(ON)23mΩ@VGS=10V（Type：11mΩ）
V=-20VI-18.8A
DSD
RDS(ON)35mΩ@VGS-10V（Type：23mΩ）
Application
BLDC
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP20G02CDFPDFN3*3-8LAP20G02CDFXXXYYYY5000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterN-ChP-ChUnits
VDSDrain-SourceVoltage20-20V
VGSGate-SourceVoltage±12±12V
1
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V20-18.8A
DA
1
I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V16.2-15.5A
DA
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