AP8P06SI深圳恒锐丰科技+-8.5A+-60V+SOT89-3L.pdf

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AP8P06SI

-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP8P06SIusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=-60VI-8.5A

DSD

RDS(ON)90mΩ@VGS=10V(Type：68mΩ)

Application

Brushlessmotor

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP8P06SISOT89-3LAP8P06SIXXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-10V-8.5A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-10V-5.3A

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