AP101N81ZXP深圳恒锐丰科技+100A+80V+TO-247-3L.pdf

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AP101N81ZXP

80VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP101N81ZXPissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFET,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=80VI=100A

DSD

RDS(ON)15mΩ@VGS=10V（Type：13mΩ）

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP101N81ZXPTO-247-3LAP101N81ZXPXXXYYYY1000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage80V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V100A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V400A

IDMPulsedDrainCurrent480A

EASSinglePulseAvalancheEnergy1054mJ

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