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APG120N12NF
120VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAPG120N12NFusesadvancedSGTIItechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasa
BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V120VI120A
DSD
RDS(ON)6.8mΩ@VGS10V（Type：6.0mΩ）
Application
Mobilephonefastcharging
Brushlessmotor
Homeappliancecontrolboard
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
APG120N12NFPDFN5*6-8LAPG120N12NFXXXYYYY5000
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
SymbolParameterValueUnits
VDSSDrain-to-SourceVoltage120V
I@T25℃ContinuousDrainCurrent1120A
DA
I@T70℃ContinuousDrainCurrent170A
DA
IDMa1PulsedDrainCurrent320A
EASa2Singlepulseavalancheenergy240mJ
IARSinglepulseavalanchecurrent40A
VGSGate-to-SourceVoltage±20V
PDPowerDissipation
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