HFM180N06深圳恒锐丰科技+N+60V+MOS+PDFN5×6-8.pdf

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HFM180N06

60VN-ChannelTrenchPowerMOSFET

Description

TheHFM180N06usesSGTtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandfast

switchingcharacteristics.Thisdeviceissuitableforuseasawidevarietyofapplications.

Features

LowGateChargeHighPowerandcurrenthandingcapability

100%UISTested,100%DVDSTestedLeadfreeproductisacquired

Application

DC/DCConverterPowerManagement

LoadSwitching

KeyPerformanceParametes

ParameterValueUnit

VDS60V

RDS(ON)_TYP1.7mΩ

ID180A

QG94.4nC

PRPAK5×6PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFM180N06

60VN-ChannelTrenchPowerMOSFET

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units

On/OffStates

BVDSSDrain-SourceBreakdownVoltageVGS0VID250μA60V

VDS60V,VGS0VTJ25℃1μA

IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS60V,VGS0V

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