HFS4441深圳恒锐丰科技+P+60V+MOS+SOP-8.pdf

1、本文档共6页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

HFS4441

P-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFS4441isthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSON

andgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFS4441meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwithfull

functionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentCdV/dteffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

ProductSummary

BVDSSRDSONID

-60V80mΩ-4.1A

SOP-8PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFS4441

P-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterTestConditionsMin.Typ.Max.Unit

BVDSSDrain-SourceBreakdownVoltageVGS0V,ID-250uA-60——V

Referenceto25℃,

△BVDSS/△TJBVDSSTemperatureCoefficient—-0.03—V/℃

ID-1mA

VGS-10V,ID-3A—80100

RDS(ON)StaticDrain-SourceOn-Resistance2mΩ

VGS-4.5V,ID-2A

专注MOS

咨询Ta 进入空间

更多 >