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半导体存储行业专题报告--第1页
投资分析
根据WSTS数据,2021年全球存储市场规模1582亿美元,占半导
体市场份额的比重为28.61%,为全球半导体行业重要的组成部分。与
之对比的是,国内存储产业相对弱小,在全球份额不高,2020年中国
大陆存储器的国产化率为1%。基于国内6家主要存储器上市公司,近
五年存储板块加速增长,总营收规模由2017年的34.06亿元增长至
2021年的188.87亿元,CAGR达53.45%;总归母净利润由2017年
4.12亿元增长至2021年的42.17亿元,CAGR达78.87%。兆易创新、
北京君正和聚辰股份分别在NORFlash、车规DRAM和EEPROM等领域具
有全球竞争力。我们选取国内竞争力较强的NORFlash产业,借鉴其崛
起路径并分析当前国内Fabless存储企业的布局以及利基存储产业进
阶的可能性。
行业供需关系突发性变化导致参与企业资源再配置,而产品技术迭
代弱化进入壁垒。以IDM为主的存储行业在面对产品进入生命周期末
端时,其资本开支计划日趋谨慎,在面对外部冲击时,资源条件的约
束将迫使其放弃低端产线甚至完全放弃市场。产品标准化和技术迭代
弱化降低了进入壁垒,这将给新企业补位空间。国内企业通过成本优
势和市场机遇切入市场,并逐步形成从低到高的替代。通过抓住
SPINOR渗透率提升和消费电子机遇,兆易创新完成了容量与单价的快
速上升并跻身产业前三;普冉股份利用SONOS工艺的成本优势以及中
小容量需求的增长,其出货量超过26亿颗。
新增需求提供空间,与国内企业优势匹配,而国内晶圆代工产能自
给率上升带来产能保障。物联网与可穿戴设备的快速增长提供了行业
半导体存储行业专题报告--第1页
半导体存储行业专题报告--第2页
而国内晶圆代工产能自给率上升为Fabless企业提供产能保障,但同
时一定程度上带来行业集中度的分散。DDR3市场变化与2016-2017年
NORFlash变化具有相似性,国内企业有望复制该路径实现产业进阶。1)
半导体行业景气导致有限资源的再分配,头部厂商三星退出释放行业
超过30%的份额;2)中小容量DDR3产品在消费电子领域依然具备旺盛
需求,其不需要汽车电子行业较高的行业认证壁垒,同时对成本具备
价格敏感性,符合国内企业从低端向高端渗透的增长逻辑;3)近年来
国内晶圆代工企业技术上的日益成熟提供了产能支撑,相较于台系IDM
企业资本开支约束,国内Fabless公司在份额争夺上占有先机;4)国
内利用先进制程生产利基产品的模式将构成成本优势。
SLCNAND同样面临国产替代机遇,国内企业有望获得份额。海外企
业逐步转向工控与汽车领域,陆续退出4Gb以下中低容量NAND市场,
SLCNAND主要玩家逐步转向国内大陆与台企。如通信、汽车电子、物联
网、可穿戴设备和工控等新兴应用场景的拓展,下游市场对具备高可
靠性、低功耗等特点的中小容量存储芯片需求也持续上升,也为国内
企业带来国产替代机遇。
基于2016年以后国内NORFlash产业进阶路径,我们重点关注两个
阶段和三个指标:第一阶段为龙头退出份额的再分配,核心指标为
出货量的倍数扩张和产品在料号和容量上的加速覆盖;第二阶段为利
润释放,在某一时期由于供给冲击或新的增量需求导致供需逆转,以
容量和销量为基础,通过涨价攫取大量利润。
2NORFlash基本特征与竞争格局
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