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一种半导体器件的制作方法--第1页

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102903628A

(43)申请公布日2013.01.30

(21)申请号CN201110208142.3

(22)申请日2011.07.25

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人胡敏达王冬江张海洋

(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

代理人高伟

(51)Int.CI

H01L21/311

H01L21/768

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种半导体器件的制作方法

(57)摘要

本发明涉及一种半导体器件的制作

方法，包括:提供衬底，且衬底上形成待刻

蚀层；在待刻蚀层上形成硬掩膜层；硬掩

膜层包括氮化钛层和形成在氮化钛层上的

氮化硼层。硬掩膜层的厚度为200埃~500

埃。氮化硼层的厚度大于氮化钛层的厚

度。本发明的利用改进的硬掩膜层的刻蚀

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一种半导体器件的制作方法--第2页

方法所采用的硬掩膜层为双层化合物结

构，即硬掩膜层包括氮化钛层和形成在氮

化钛层上的氮化硼层，利用氮化硼层中的

压应力来弱化氮化钛层中的拉应力对器件

结构所产生的影响，从而减小器件结构的

线形形变。此外，由于氮化硼层的刻蚀选

择比较高，因而可以进一步保证半导体器

件的可靠性。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

一种半导体器件的制作方法--第2页

一种半导体器件的制作方法--第3页

权利要求说明书

1.一种半导体器件的制作方法，包括:

提供衬底，所述衬底上形成铜互连金属层，所述铜互连金属层上形成待刻蚀层；

在所述待刻蚀层上形成硬掩膜层；

其特征在于，所述硬掩膜层包括氮化钛层和形成在所述氮化钛层

上的氮化硼层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为

200埃~500埃。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硼层的厚度大

于所述氮化钛层的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化钛层的厚度范

围为200埃~500埃。

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5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硼层的厚度范

围为200埃~500埃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于还包括：

在所述硬掩膜层上形成带有第一刻蚀图案的第一光刻胶层，利用

第一光刻胶层在所述硬掩膜层上形成第一开口；去除所述第一光刻胶层；

在所述硬掩膜层和所述待刻蚀层上形成带有第二刻蚀图案的第

二光刻胶层，利用第二光刻胶层在所述待刻蚀层中形成第二开口，所述第二开口的

宽度小于第一开口的宽度，所述第二开口的深度小于所述待刻蚀层的厚度；

以所述硬掩膜层为