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一、引言;Slide2;1、溅射镀膜技术是真空镀膜技术;Slide4;2、发展概况(1);2、发展概况(2);2、发展概况(3);2、发展概况(4);3、国内发展情况;Slide10;Slide11;Slide12;Slide13;二、气体放电某些特性在一般的溅;Slide15;Slide16;Slide17;2、放电的伏安特性曲线--不提;Slide19;A)伏安特性曲线,分几段:;B)靶的放电的伏安特性曲线与;C)没有完全相同的靶,任何两;E)避免弧光放电;3、辉光放电区电位分布---靶;Slide25;4、等离子体、等离子体发光与P;Slide27;Slide28;Slide29;Slide30;Slide31;Slide32;Slide33;荷能粒子与材料表面相互作用;1、产生的效应;2、溅射效应;Slide37;Slide38;Slide39;三、磁控溅射1、在二极;2、在正交电磁场作用下电子围绕;Slide42;Slide43;Slide44;Slide45;Slide46;Slide47;Slide48;Slide49;2、特点;Slide51;Slide52;Slide53;四、非平衡磁控溅射;Slide55;I;W心=W外普通的(平;I型W外=0;II型?W心=0;Slide60;Slide61;五、脉冲磁控溅射--中频双靶反;Slide63;2、双靶---孪生靶;Slide65;3反应溅射与反应溅射滞回曲线;4、硅靶通氧反应溅射制备二氧化;5、三种状态(金属态--过度态;Slide69;Slide70;Slide71;Slide72;Slide73;6、按不同采样方法控制方式可分;Slide75;Slide76;Slide77;Slide78;7、控制系统的稳定性;8、PEM闭环控制回路示意图;Slide81;Slide82;真空室内靶、布气、抽气、基片位;真空室内靶、布气、抽气、基片位;六、射频磁控溅射;结束语
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