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变频技术原理与应用试题三及答案

评卷人得分一、是非题。（正确的在括号内画√，错的画×，

每题1分，共10分）

1.从工作原理上讲，变频技术就是把工频交流电变成相同频率的交流电。（）

2.交流—交流变频技术适应于低转速大容量的电动机负载。（）

3.晶闸管主要用于电压控制型开关器件，通过控制晶闸管触发脉冲的触发角，

实现小电流控制大功率的变换。（）

4.不可控器件不能用控制信号来控制其通断。（）

α

5.晶体管的特性是在低发射极电流下电流放大系数很大，而当发射极电流建

α

立起来之后，迅速减小。（）

6.当晶闸管加反向阳极电压时，晶闸管不会导通。（）

7.功率MOSFET是利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的大小，从

而控制漏极电流的大小。（）

8.MCT是采用集成电路工艺制成的。（）

9.为使晶闸管可靠触发，触发电路提供的触发电压和触发电流等于晶闸管产品

参数提供的门极触发电压与触发电流值。（）

10.变频器的过负载率用于变频器过负载保护，不适用于电动机过负载保护。（）

评卷人得分二、名词解释。（每题2分，共10分）

1.变频器多段速度控制功能

2.维持电流I

H

it

3.通态电流临界上升率d/d

4.功率集成电路

5.基本频率f（简称基频）

b

评卷人得分三、填空题。（每题1分，共10分）

1.常见的大功率晶闸管，其外形有两种封装。

2.晶闸管具有个PN结。

3.晶闸管的阳极伏安特性是指晶闸管之间的关系曲线。

4.晶闸管在使用时，为保证可靠、安全地触发，触发电路所提供的触发电压、

电流和功率应限制在。

5.当晶闸管散热条件不满足规定要求时，则元件的额定电流应立即使

用，否则元件会由于结温超过允许值而损坏。

6.功率晶体管有两种结构。

7.GTR是一种双极型半导体器件，即其内部电流由两种载流子形成。

8.功率MOSFET是利用的大小来改变半导体表面感生电荷的大小，从而控

制漏极电流的大小。

9.变频技术的核心部分就是。

10.为适应变频调速的需要，变频电源必须在变频的同时实现。

评卷人得分四、简答题。（每题5分，共20分）

ut

1.如何抑制晶闸管的正向电压上升率d/d？

2.交—交变频电路如何改变其输出电压和频率？其最高输出频率受什么限制？

3.简述变频器选择的原则。

4.简述变频器与计算机网络系统的组成。

评卷人得分五、绘图题。（共20分）

1.绘制电压型变频器框图。（本题10分）

2.绘制施耐德Altivar31型变频器菜单Set的设置流程框图

评卷人得分六、论述题。（本题15分）

1.变频器驱动负载时，如何合理设定加速时间和减速时间？

2.论述逆变功率模块损坏的判断方法。

试题三答案

一、是非题。

1.×2.√3.×4.√5.×6.√7.√8.√9.×10